Robust Excitonic Coherence Driven by In-Plane Anisotropy in a van der Waals Semiconductor
باستخدام مطيافية خلط الموجات الأربع الميكروية العابرة، أثبت الباحثون أن التباين في المستوى داخل ثنائي كبريتيد الرينيوم (ReS2) الطبقي النقي يقود تماسكاً إكسيتونياً قوياً مع مرونة ضد تغيرات الكثافة ودرجة الحرارة، مما يتيح ميزات كمومية قابلة للقياس عند درجة حرارة الغرفة بسبب الانتقالات المتجانسة وانخفاض الاضطراب.