Radio-frequency reflectometry in silicon carbide large-area transistors
تُثبت هذه الورقة أنه بينما يفشل قياس الانعكاس بالترددات الراديوية القائم على البوابة في ترانزستورات كربيد السيليكون ذات المساحة الكبيرة عند درجات الحرارة المبردة بسبب تغيرات المعاوقة الناتجة عن تجمد حوامل الشحنة، فإن تكوينًا دائريًا معدلًا يمكنه استعادة الحساسية، مما يقدم رؤى بالغة الأهمية لتصميم الأنظمة الكمومية ذات الدوائر المتكاملة من نوع CMOS القابلة للتوسع عند درجات الحرارة المبردة.