Chern Insulator in magnetic-doped two-dimensional semiconductors
تقترح هذه الورقة وتثبت من خلال الحسابات أن تطعيم ثنائيات كالكوجينيد المعادن الانتقالية (تحديداً WSe2 و WS2 المطعمة بالفاناديوم) بالقرب من حافة نطاق التكافؤ يؤدي إلى انقلاب النطاق عبر اقتران مداري مغزلي قوي، مما يخلق عوازل تشيرن ذات أعداد تشيرن غير صفرية توفر منصة واعدة لتحقيق تأثير هول الشاذ الكمي.