🔬 mesoscale physics
Low-Noise Quantum Dots in Ultra-Shallow Ge/SiGe Heterostructures for Prototyping Hybrid Semiconducting-Superconducting Devices
تُثبت هذه الورقة أن البنى غير المتجانسة من الجرمانيوم/السيليكون-جرمانيوم (Ge/SiGe) شديدة الضحالة ذات طبقات تغطية رقيقة من السيليكون-جرمانيوم، والتي تم تصنيعها باستخدام عمليات الأكسدة منخفضة الحرارة للحفاظ على التوافق مع الموصلية الفائقة، تحقق مستويات من ضجيج الشحنة منخفضة تضاهي البنى الأكثر عمقاً، مما يجعلها منصة واعدة لنمذجة الأجهزة الهجينة شبه الموصلة-الموصلة فائقة التوصيل.
M. Borovkov, Y. Schell, D. Sokolova, K. Roux, P. Falthansl-Scheinecker, G. Fabris, D. Shah, J. Saez-Mollejo, R. Previdi (…)2026-03-11