Meissner-Ochsenfeld effect in semiconductor nanostructures with negative-U shells
تُقدم هذه الورقة أول عرض لتأثير ميسنر-أوكسنفيلد في درجة حرارة الغرفة في الهياكل النانوية للسيليكون، حيث يتم تحفيز الاستجابات الدايامغناطيسية والنقل غير المبدد عبر التفاعل بين القنوات الحافية ومراكز البورون ثنائية القطب ذات الجهد السالب (U).