Impact of interface traps on charge noise, mobility and percolation density in Ge/SiGe heterostructures
تُظهر هذه الدراسة أن التخلف الناجم عن الجهد في البنى غير المتجانسة من الجرمانيوم/السيليكون-جرمانيوم ينشأ عن حبس الشحنات عند الواجهة بين أشباه الموصلات والأكسيد، مما يزيد من الاضطراب الكهروستاتيكي وضجيج الشحنة، وهو ما يسلط الض {الضوء على الحاجة الماسة إلى ضبط الأجهزة بشكل متحفظ لتحسين أداء الكيوبت المغزلي.