Depth-Resolved Lattice Distortions in a Silicon-Germanium Qubit Host
تستخدم هذه الورقة البحثية رسم الخرائط البنيوية النانوية بالأشعة السينية عالية الدقة لتوضيح كيفية انتقال عيوب الشبكة البلورية الناجمة عن النمو وأنماط التخطيط المتقاطع في هياكل إنتل (Intel) من السيليكون/السيليكون-جرمانيوم (Si/SiGe) المتغايرة عبر الجهاز، مما يخلق إجهاداً دائماً يؤثر بشكل مباشر على أطياف الطاقة وأداء الكيوبتات (qubits) من السيليكون-جرمانيوم.