Morphological evolution of a semiconductor surface driven by irradiation-induced anisotropic plastic flow
تقترح هذه الورقة معادلة من نوع "كوراماتو-سيفاشينسكي" معممة تعتمد على التدفق البلاستيكي متباين الخواص الناجم عن الإشعاع ("المطرقة الأيونية") لتوفير نموذج نظري شامل يفسر كمياً ونوعياً تشكل الأنماط النانوية على أسطح السيليكون المشععة عبر مختلف أنواع وأطياف الطاقة الأيونية.