Layer-Dependent Interfacial Coupling and Exciton Pinning in WSe2/Graphene Heterostructures
تُظهر هذه الدراسة أن نمو ثاني كبريتيد السيلينيوم (WSe2) على الغرافين يستحث إجهاداً ضغطياً مستمراً وانتقالاً للشحنة يعتمد على عدد الطبقات مما يؤدي إلى تثبيت طاقات الإكسيتون، وهو ما يتناقض مع الإزاحات المعتمدة على السمك الملحوظة على ثاني أكسيد السيليكون/السيليكون (SiO2/Si)، مما يرسخ الغرافين كواجهة نشطة للتحكم في الخصائص الإكسيتونية في البنى المتغايرة لـ "فان دير فالس" القابلة للتوسع.