Resonantly-enhanced Raman response in graphene-capped bismuthene on SiC
تُظهر هذه الدراسة أن مطيافية رامان المجهرية المعززة بالرنين تعمل كوسيلة سريعة وغير مدمرة وذات دقة مكانية خارج الموقع لتوصيف ديناميكيات الشبكة والاقتران البيني للبزموثين المغطى بالجرافين على كربيد السيليكون، متجاوزةً بذلك قيود تقنيات الفراغ الفائق التقليدية.