Modelling the Impact of Device Imperfections on Electron Shuttling in SiMOS devices
تستخدم هذه الورقة محاكاة ثلاثية الأبعاد كاملة لتوضيح أنه في حين أن عملية نقل إلكترونات الـ SiMOS قوية ضد العديد من عيوب التصنيع، إلا أنها حساسة للغاية لعيوب واجهة الأكسيد وجهود البوابة المنخفضة، والتي يمكن أن تسبب انهياراً من نمط النقل بنظام "الحزام الناقل" الفعال إلى نمط النقل بنظام "سلسلة الدلاء" غير الفعال.