cond-mat.mtrl-sci ورقة بحثية

Electronic Spectroscopy of Atomic Defects in Molybdenum Disulfide under Ambient Conditions

تُوصّف هذه الدراسة، باستخدام مجهر القوة الذرية الموصل (C-AFM) في الظروف المحيطة، الخصائص الإلكترونية والهويات الكيميائية المحلية للعيوب الذرية الفردية في ثنائي كبريتيد الموليبدينوم (MoS2)، وتحددها كاستبدالات مختلفة لفلزات انتقالية أو أكسجين.

Joshua R. Evans, Diego A. Garibay, Aiden N. Kuhls, Mehmet Z. Baykara2026-04-28

🔬 materials science

A Single Twist-Angle Selection Method for the Electronic Structure of Bilayer Materials

تقدم هذه الورقة نوعين جديدين من متغيرات طريقة متوسط زاوية الالتواء لعامل البنية (sfTA)، وهما "sfTA المزدوج" و"sfTA الترابطي"، واللذان يحسنان دقة حساب طاقات ارتباط الارتباط في المواد ثنائية الطبقة منخفضة الأبعاد من خلال دمج تفاعلات الترابط في عملية اختيار زاوية الالتواء.

Ryan A. Baker, William Z. Van Benschoten, James J. Shepherd2026-04-28

🔬 materials science

Room-temperature shape-memory effect in Sr(Ni $_{1-x}$ Cu $_x$ ) $_2$ P $_2$

يُظهر الباحثون أن استبدال النحاس في مركب $\text{SrNi}_2\text{P}_2$ يسمح بضبط التحولات الهيكلية بين حالات غير منهارة، ومنهارة بنسبة الثلث، ومنهارة تماماً، مما يتيح تباينًا حراريًا كبيرًا يمكن تعديله ليصل إلى درجة حرارة الغرفة لاستخدامه المحتمل كمادة ذاكرة للشكل.

Juan Schmidt, Alexander J. Horvarth, Seok-Woo Lee, Sergey L. Bud'ko, Paul C. Canfield2026-04-28

🔬 materials science

Spin excitation of the Heisenberg antiferromagnet with frustration: from the bounce-lattice antiferromagnet through the maple-leaf-lattice antiferromagnet to the exact-dimer system

تستخدم هذه الورقة البحثية القطرية العددية لاستقصاء فجوات استثارة الغزل لنموذج هايزنبرغ لمضادات المغناطيسية ذات السبين $S=1/2$ و $S=1$ على شبكات مختلفة من الإحباط، مع تحديد انتقالات محددة بين الأطوار ذات الفجوة والأطوار عديمة الفجوة مع تغير نسبة قوى التفاعل.

Hiroki Nakano, Toru Sakai2026-04-28

🔬 materials science

Interfacial breathing as a dynamic failure law in all-solid-state batteries: amplitude, phase lag and dual-timescale memory as design principles

تقترح هذه الورقة قانون فشل ديناميكي جديد لبطاريات الحالة الصلبة بالكامل تحكمه عمليتان مترابطتان — "التنفس" البيني (تذبذبات التلامس) و"الذاكرة التفاعلية" (تحلل الإلكتروليت) — وتثبت أنه في حين يمكن لضغط الرص ضغط ظاهرة التنفس، فإن التحكم المستقل في كيمياء الطور البيني مطلوب لإدارة الذاكرة التفاعلية.

Changdeuck Bae2026-04-28

🔬 applied physics

Characterizing Fill Factor Limitations in Perovskite-Silicon Tandem Solar Cells

تقدم هذه الورقة منهجية لتحديد الأسباب الرئيسية لفقدان عامل الملء في الخلايا الشمسية الترادفية من البيروفسكايت والسيليكون، مع تسليط الضوء بشكل خاص على تأثير المقاومة المتسلسلة، وظاهرة "التحويلة الضوئية" في طبقات البيروفسكايت، وخاصية الصمام الثنائي المزدوج لخلايا السيليكون.

Yueming Wang, Nan Sun, Chris Dreessen, Gaosheng Huang, Alexander Eberst, Kaining Ding, Thomas Kirchartz2026-04-28

🔬 materials science

Electron-phonon coupling across the TMD/hBN van der Waals interface

باستخدام مطيافية الانبعاث الضوئي بتمييز الزاوية، أثبت الباحثون أن أشباه الجسيمات في ثنائيات كالكوجينيدات المعادن الانتقالية أحادية الطبقة (TMDs) تكتسي بفونونات بعيدة المدى من طبقة نتريد البورون السداسي (hBN) المجاورة، مما يكشف عن اقتران عام بين الإلكترون والفونون بين الطبقات يمكن أن يؤثر على حركية الإلكترونات والأطوار المترابطة في الهياكل غير المتجانسة ثنائية الأبعاد.

G. Gatti, C. Berthod, J. Issing, M. Straub, S. Mandloi, Y. Alexanian, J. Avila, P. Dudin, T. K. Kim, M. D. Watson, C. Ca (…)2026-04-28

🔬 applied physics

Evidence of Micron-Scale Ion Damage in (010), (110), and (011) ${\beta}-Ga_2O_3$ Epitaxial Layers

تُظهر هذه الورقة أن الأضرار الأيونية الناتجة عن التذرية والنقش بالبلازما المتصلة حثياً تسبب استنزافاً للشحنة يعتمد على الاتجاه ويصل عمقه إلى 11.5 ميكرومتر في طبقات $\beta$ -Ga $_2$ O $_3$ البلورية ذات الاتجاهات (010) و(110) و(011)، بينما تظل الطبقات ذات الاتجاه (001) غير متأثرة إلى حد كبير.

Carl Peterson, Chinmoy Nath Saha, Yizheng Liu, James S. Speck, Sriram Krishnamoorthy2026-04-28

🔬 materials science

Electronic and optical properties of arsenic monolayers: from planar honeycomb to the puckered phase

تستخدم هذه الدراسة نظرية وظيفية الكثافة وطرق الاضطراب متعدد الأجسام (QS $GW$ وBSE) للتحقيق في كيفية تطور الخصائص الإلكترونية والبصرية لطبقات الزرنيخ الأحادية أثناء الانتقال الهيكلي من الطور المتعرج إلى بنية سداسية مستوية تحت تأثير الإجهاد ثنائي المحور.

Niloufar Dadkhah, Walter R. L. Lambrecht2026-04-28

🔬 materials science

Bottom-up realization of a type-II organic-TMD heterointerface: Pentacene on monolayer WS2

باستخدام التنمي بالحزمة الجزيئية والتقنيات الطيفية المتقدمة، يبرهن الباحثون على التخليق من الأسفل إلى الأعلى لبنية متغايرة من البنتاسين وطبقة أحادية من ثاني كبريتيد التنجستن $\text{WS}_2$ عالية الترتيب تُظهر محاذاة نطاق من النوع الثاني، مما يجعلها نظاماً نموذجياً لدراسة انتقال الشحنة في الواجهات الهجينة بين المواد العضوية وغير العضوية.

Michele Capra, Christian S. Kern, Mira S. Arndt, Karl J. Schiller, Max Niederreiter, Francesco Presel, Iolanda Di Bernar (…)2026-04-28

→ السابق التالي ←

cond-mat.mtrl-sci

Electronic Spectroscopy of Atomic Defects in Molybdenum Disulfide under Ambient Conditions

A Single Twist-Angle Selection Method for the Electronic Structure of Bilayer Materials

Room-temperature shape-memory effect in Sr(Ni1−x_{1-x}1−x​Cux_xx​)2_22​P2_22​

Spin excitation of the Heisenberg antiferromagnet with frustration: from the bounce-lattice antiferromagnet through the maple-leaf-lattice antiferromagnet to the exact-dimer system

Interfacial breathing as a dynamic failure law in all-solid-state batteries: amplitude, phase lag and dual-timescale memory as design principles

Characterizing Fill Factor Limitations in Perovskite-Silicon Tandem Solar Cells

Electron-phonon coupling across the TMD/hBN van der Waals interface

Evidence of Micron-Scale Ion Damage in (010), (110), and (011) β−Ga2O3{\beta}-Ga_2O_3β−Ga2​O3​ Epitaxial Layers

Electronic and optical properties of arsenic monolayers: from planar honeycomb to the puckered phase

Bottom-up realization of a type-II organic-TMD heterointerface: Pentacene on monolayer WS2

Room-temperature shape-memory effect in Sr(Ni $_{1-x}$ Cu $_x$ ) $_2$ P $_2$

Evidence of Micron-Scale Ion Damage in (010), (110), and (011) ${\beta}-Ga_2O_3$ Epitaxial Layers