Nanoscale graphitization and defect evolution in silicon-vacancy center-containing nanodiamonds under high-pressure high-temperature annealing
تستخدم هذه الدراسة حيود الأشعة السينية بالسينكروترون في الموقع لتحديد نافذة معالجة دقيقة تحت ضغط وحرارة مرتفعين للماس النانوي الذي يحتوي على مراكز فجوة السيليكون، مع تحديد عتبات التغرف (graphitization) المحددة التي تتيح التلدين لتخفيف الإجهاد من أجل تحسين الخصائص البصرية دون إحداث تحول طوري.