Low-resistivity nitrogen-doped p-type Cu2O thin films enabled by millisecond flash lamp annealing
يؤدي التلدين بوميض المصباح في أجزاء من الملي ثانية عند كثافة طاقة منخفضة محددة (4.9 جول سم⁻²) إلى تقليل المقاومية النوعية لأغشية أكسيد النحاسوز (Cu₂O) الرقيقة من النوع الموجب (p-type) المطعمة بالنيتروجين بشكل كبير لتصل إلى 0.045 أوم سم من خلال تعزيز الحركية، بينما تؤدي كثافات الطاقة الأعلى إلى تدهور الموصلية الكهربائية رغم توسيع فجوة النطاق البصري.