Epitaxial thin film growth in the U-Ge binary system
تستقصي هذه الدراسة مخطط الطور لمركب اليورانيوم-جرمانيوم (U-Ge) من خلال الترسيب المشترك لليورانيوم والجرمانيوم على ركائز أحادية البلورة، حيث نجحت في تثبيت أغشية متعددة الأطوار تهيمن عليها مركبات UGe وUGe مع ملاحظة تشكل UO عند درجات حرارة أعلى، وإظهار سلوك معدني بنسب مقاومة متبقية تصل إلى ستة في العينات التي يهيمن عليها UGe.