No band gap, no problem: Defects in InAs using a band-avoiding occupation-constrained density functional theory
تقدم هذه الورقة طريقة نظرية الدالة الوظيفية للكثافة ذات التقييد في الإشغال وتجنب النطاق (ba-occ-DFT) التي تتغلب على مشكلة فجوة النطاق الصفرية في أشباه الموصلات ضيقة الفجوة مثل زرنيخيد الإنديوم (InAs)، مما يتيح تنبؤات دقيقة لمستويات العيوب الذرية رغم فشل نظرية الدالة الوظيفية للكثافة القياسية في إعادة إنتاج فجوة النطاق التجريبية.