Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
تستخدم هذه الدراسة نظرية وظيفية الكثافة لتوضيح أن اقتران المدار واللف المغزلي يغير بشكل كبير الخصائص الهيكلية والإلكترونية لمواد p-MS خماسية الأضلاع المستوية (حيث M = Si, Ge, Pb)، مما يؤدي إلى استقرار متغيرات Ge و Pb مع إحداث انتقال من الحالة المعدنية إلى الحالة شبه الموصلة في p-PbS بفجوة نطاق تبلغ 0.475 إلكترون فولت، مما يشير إلى إمكاناتها في تطبيقات استشعار الغاز.