Moire based strain analysis in wurtzite GaAs -- rock-salt (Pb,Sn)Te core-shell nanowires grown by molecular beam epitaxy
تستخدم هذه الدراسة المجهر الإلكتروني النافذ عالي الدقة وتحليل الطور الهندسي لاستقصاء الخلع الملاءمي الناجم عن عدم تطابق الشبكة البلورية وأهداب مواريه في أسلاك نانوية من نوع لب-غلاف (GaAs/wurtzite (Pb,Sn)Te) المنماة بالنمو بالحزمة الجزيئية، مما يثبت أن تحليل نمط مواريه يعمل كطريقة بديلة فعالة لتقدير الإجهاد في هياكل العوازل البلورية الطوبولوجية هذه.