Photonic Interactions with Semiconducting Barrier Discharges
تُظهر هذه الدراسة أن الإشعاع النبضي بالنانو ثانية المتزامن مع تفريغات الحاجز أشباه الموصلات يعزز انبعاث البلازما والمجال الكهربائي المختزل من خلال الاقتران الضوئي، حيث يحدد طول الامتصاص المعتمد على طول موجي محدد ما إذا كانت حوامل الشحنة المتولدة ضوئياً ستنفصل بكفاءة عند الواجهة البينية بين ثاني أكسيد السيليكون والسيليكون (SiO-Si) أو ستُفقد في كتلة السيليكون.