Beam experiments for reactive ion etching of silicon (Si)-based materials by silicon halide ions
تستخدم هذه الدراسة جهاز حزمة أيونات مختارة بالكتلة لقياس عوائد النقش لـ Si وSiO2 وSi3N4 تحت الإشعاع بواسطة أنواع مختلفة من أيونات السيليكون والهالوجين وسيليكون الهاليد، مما يكشف أن أيونات ثلاثي هاليد السيليكون تظهر أداء نقش فائق عند الطاقات العالية بينما تميل أيونات أحادي الهاليد إلى ترسيب السيليكون عند الطاقات المنخفضة، مما يوفر بيانات بالغة الأهمية لتعزيز دقة محاكاة عمليات النقش.