Impact of Layer Structure and Strain on Morphology and Electronic Properties of InAs Quantum Wells on InP (001)
تتقصى هذه الدراسة كيف تؤثر بنية الطبقات والإجهاد على الخصائص الإلكترونية ومورفولوجيا السطح للآبار الكمومية من InAs/InGaAs على InP (001)، كاشفةً أن تصميم الطبقات يحدد تباين الحركة، وأن السماكة المفرطة تؤدي إلى انهيار البئر الكمومي، وأن الحصر الكمومي يؤثر بشكل كبير على عدم تناسب النطاق.