Surface States in Strain-Induced Nodal-Line Topological Semiconductors
تستخدم هذه الورقة نموذج هاميلتوني لوتنغر (Luttinger Hamiltonian) تبسيطي لرسم خرائط التحولات الطورية الطوبولوجية لأشباه الموصلات ذات فجوة النطاق المعكوسة والمجهدة بين العوازل الطوبولوجية ثلاثية الأبعاد، ونماذج ديراك، ونماذج الخط العقدي، ونماذج وي-ل (Weyl) شبه المعدنية، مع اشتقاق حلول تحليلية للحالات السطحية تكشف عن تطورها المستمر وميزة تشتت غير تحليلية عند الخط العندي المسقط.