Low-Field Ferroelectricity in 10 nm AlBScN Thin Films
تُظهر هذه الدراسة أن دمج البورون في أغشية نتريد الألمنيوم والسكانديوم (AlBScN) الرقيقة بسُمك 10 نانومتر يتيح تبديلاً فروكهربائياً قوياً مع تقليل تيارات التسرب والمجالات القسرية بشكل كبير، مما يجعل AlBScN مرشحاً واعداً لتطبيقات الذاكرة غير المتطايرة ذات الجهد المنخفض والمتوافقة مع تقنية CMOS.