Full ab initio atomistic approach for morphology prediction of hetero-integrated crystals: A confrontation with experiments
تقدم هذه الورقة نهجاً ذرياً شاملاً من المبادئ الأولى باستخدام نظرية دالة الكثافة للتنبؤ بالمورفولوجيا المتوازنة للبلورات متباينة التكامل، وهو ما تم التحقق من صحته من خلال الاتفاق القوي بين تنبؤاتها لـ GaP على Si وملاحظات المجهر الإلكتروني النافذ التجريبية.