On the importance of Ni-Au-Ga interdiffusion in the formation of a Ni-Au / p-GaN ohmic contact
تُظهر هذه الدراسة أن تشكّل اتصال أومي (ohmic contact) من نوع Ni-Au/p-GaN مدفوع بشكل أساسي بتكوّن فجوات الغاليوم (Ga vacancies) المرتبطة بطبقة بينية من Au-Ga أثناء عملية الانتشار البيني بمساعدة الأكسجين، وليس بوجود النيكل (Ni) أو أكسيد النيكل (NiOx) عند الواجهة البينية.