Effects of Substrate Temperature and Selenium to Gallium Flux Ratio on the Growth and Structure of MBE Grown GaSe Thin Films on c-Plane Sapphire
تتقصى هذه الدراسة بشكل منهجي التأثيرات المزدوجة لدرجة حرارة الركيزة ونسبة تدفق السيلينيوم إلى الغاليوم (Se/Ga) على أغشية سيلينيد الغاليوم (GaSe) النامية بالترسيب بالحزمة الجزيئية الموجهة (MBE) على الياقوت الأزرق من النوع (c-plane)، حيث حددت درجة حرارة 600 درجة مئوية مع نسبة Se/Ga تبلغ 400 كشرط أمثل لتحقيق طبقات فوقية عالية الجودة وعالية الترتيب.