Interference-Enhanced Large Electron--Phonon Coupling from Raman-active Breathing Modes in Moiré Semiconductors
من خلال الجمع بين مطيافية رامان المعتمدة على التعبئة وحسابات المبادئ الأولى القائمة على التعلم الآلي، تكشف هذه الدراسة أن قاعدة اختيار التداخل في أشباه الموصلات الموارية تعزز انتقائياً اقتران الإلكترون-فونون من خلال أنماط تنفس محددة، مما يشير إلى مساهمة فوتونية جوهرية في الموصلية الفائقة الملحوظة في ثاني كبريتيد التنجستن وثاني تيلوريد الموليبدينوم ذوي الزوايا الكبيرة الملتوية.