Tuning the topological winding number by rolling up graphene
تُثبت هذه الدراسة نظرياً أن لفّ الغرافين في شكل لولب نانوي مكون من N من الالتفافات وتطبيق مجال مغناطيسي طولي يتيح تعزيزاً دقيقاً للموصلية بمقدار N-ضعف عبر تفعيل عدد لف طوبولوجي قابل للضبط، مما يوفر مساراً جديداً لتصميم مواد طوبولوجية مخصصة من خلال التلاعب الهندسي.