Engineering two-qubit gates via anisotropic exchange in germanium spin qubits
تُظهر هذه الورقة البحثية أنه من خلال الاستفادة من التفاعل القوي بين اللف المغزلي والمدار في كيو بتات اللف الخاصة بثقوب الجرمانيوم، واستخدام التحكم في المجال المغناطيسي المتجه الكامل، يمكن للباحثين هندسة تفاعلات التبادل متباينة الخواص لضبط هاملتوني التفاعل بشكل مستمر، مما يتيح تحقيق بوابات iSWAP الأصلية بنبضة واحدة وتسهيل المحاكاة الكمومية القائمة على اللف.