High-yield engineering and identification of oxygen-related modified divacancies in 4H-SiC
تُظهر هذه الورقة طريقة هندسية عالية المردود باستخدام زرع أيونات الأكسجين لإنشاء وتحديد الهيكل لأربعة أنواع من الفراغات الثنائية المعدلة بفجوات الأكسجين في كربيد السيليكون رباعي الأضلاع (4H-SiC)، والتي تُبدي خصائص بصرية وسبينية فائقة مناسبة للتقنيات الكمومية للحالة الصلبة القابلة للتوسع.