High-Field EPR/ENDOR of N/Be Centers for Defect Engineering in 6H-SiC
تستخدم هذه الدراسة مطيافية الرنين البارامغناطيسي الإلكتروني (EPR) ومطيافية الترددات الدقيقة المزدوجة (ENDOR) عند نطاق الموجة W ذي المجال العالي لتوصيف كربيد السيليكون سداسي الشكل (6H-SiC) المطعّم بالنيتروجين والبريليوم، مما يكشف عن مواقعهما المتميزة في الشبكة البلورية، وخصائص تماسك اللف المغزلي، وكثافة اللف المغزلي شديدة الانتشار، وذلك لإثبات جدوى هندسة العيوب ثنائية الشوائب من أجل التقنيات الكمومية.