Device/circuit simulations of silicon spin qubits based on a gate-all-around transistor
تثبت هذه الورقة نظرياً القراءة الفعالة لنظام كيو بت سيليكوني ثنائي الكيو بت باستخدام محاكاة الترانزستور ذو البوابة المحيطة وتحليل دوائر SPICE، مما يؤكد أن مضخم استشعار CMOS تقليدي يمكنه اكتشاف تغيرات التيار المعتمدة على الحالة من خلال التحكم الديناميكي في الجهد.