Temperature dependence of the spontaneous magnetization of Ni2MnGa and other ferromagnets. The superellipse equation
本文提出，对于像 Ni2MnGa 这样的铁磁体，其自发磁化强度的温度依赖性可以通过仅使用居里温度和一个无量纲临界指数的超椭圆方程在整个温度范围内得到完整描述，从而允许通过归一化变量的对称互换，从低温测量中预测临界点附近的行为。
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2632 篇论文
凝聚态物理与材料科学的交汇点，正以前所未有的速度重塑我们对物质世界的理解。从超导体到新型电池材料，这一领域致力于探索微观粒子的排列如何决定宏观世界的性能。Gist.Science 在此板块特别关注源自 arXiv 的最新预印本，它们代表了该领域最前沿的突破。
为了打破专业壁垒，我们团队会对 arXiv 上的每一份新论文进行深度处理，提供通俗易懂的通俗解读与详尽的技术摘要。无论您是寻求灵感的工程师，还是希望快速掌握动态的研究者，都能在这里找到清晰的路径。以下是该领域最新发布的论文精选，带您直击科学探索的最前线。
Krypton-sputtered tantalum films for scalable high-performance quantum devices
本文表明，使用氪代替氩作为溅射气体，能够实现高纯度体心立方钽薄膜的可扩展、低温合成，该薄膜具有卓越的电子导电性，从而能够制备出品质因子高达 1400 万的最先进超导谐振器和跨子量子比特。
From Symmetry to Stability: Structural and Electronic Transformation in CsKInI
本研究采用结合遗传算法、机器学习势函数与第一性原理计算的协同方法，揭示了无铅双钙钛矿 CsKInI 缺乏稳定的立方相，而是识别出了通过牺牲结构稳定性来换取更宽间接带隙的低对称性结构。
Round-Robin Test of a Light-Emitting Electrochemical Cell: Establishing a Reference Protocol for Quality Research
本文通过一项九组国际轮询研究，建立并验证了一套用于制造和测试发光电化学发光电池（LECs）的全面参考协议，旨在确保性能的可重复性、识别常见误区并指导该领域的未来研究。
Controlled Chemical Signaling between Enzymatic Nanomotors
本研究展示了两类不同酶促纳米马达之间的受控化学信号传递，其中一个葡萄糖响应型集群产生过氧化氢梯度，从而引导第二类过氧化氢酶驱动集群的迁移，进而通过非互易性泳动相互作用实现了可编程的集体行为。
Breaking the width-scaling limit in high-performance atomically thin 2D nanoribbon transistors
本文证明了超缩放单层和双层二硫化钼纳米带晶体管可以通过在窄至 15 nm 的通道宽度下实现增强的开态电流密度和卓越的静电控制，从而克服传统的宽度缩放瓶颈。
Physical properties of RCoAl (R = Gd-Tm, Y) single crystals
本研究报告了单晶重稀土 RCoAl (R = Gd-Tm, Y) 化合物的合成与表征，揭示了其正交结构、具有复杂转变的反铁磁有序，以及 RKKY 交换作用与晶体电场效应之间显著的相互作用，这种相互作用导致了对德热内（de Gennes）定标规律的偏离。
Dipolar interlayer excitons in transition metal dichalcogenide alloy heterobilayers
本研究报告了在 MoSSe/MoSe 异质双层中观察到的长寿命偶极层间激子，展示了其作为工程化和调控范德华材料中激子相互作用之通用平台的潜力。
Tunable Rashba Splitting in Janus InXPbP (X = S, Se, Te) Monolayers for Enhanced Photocatalytic Water Splitting
本研究采用第一性原理计算，证明了稳定的 Janus InXPbP（X = S, Se, Te）单层具有可调控的巨 Rashba 自旋分裂和优化的能带对齐，使其成为自旋电子器件和高效光催化分解水极具前景的候选材料。
Barrier-channel intermixing and 2-dimensional electron gas degradation in Al-rich Al(Ga)N/AlGaN high electron mobility transistor heterostructures
本文探讨了高铝组分 AlGaN/AlGaN 异质结构中，由于高温生长导致的界面混合现象所引起的二维电子气退化问题，并证明了通过优化的生长方案结合 X 射线衍射分析可以恢复锐利的界面，从而实现面电阻率约为 2,500 的高质量二维电子气。