Electronic and structural properties of VO layered polymorphs
该研究利用杂化密度泛函理论结合 Grimme D3 色散校正方法,系统计算并比较了多种未插层五氧化二钒层状多晶型物的电子与结构性质,揭示了插层剂主要通过填充最低导带发挥作用,且除高温高压相外,不同多晶型物具有相似的能带隙和能带结构。
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该研究利用杂化密度泛函理论结合 Grimme D3 色散校正方法,系统计算并比较了多种未插层五氧化二钒层状多晶型物的电子与结构性质,揭示了插层剂主要通过填充最低导带发挥作用,且除高温高压相外,不同多晶型物具有相似的能带隙和能带结构。
该研究结合实验与理论计算,揭示了扭曲 Kagome 磁体 中由交换作用层级结构驱动的维度降低机制,即强层级交换网络将三维系统重组为弱耦合的一维自旋链,从而在极低温下抑制长磁序并稳定量子无序态。
该研究通过开发结合非线性单孔模型与四向耦合热 - 机械损伤模型的数值框架,揭示了化学气相渗透(CVI)工艺参数对多孔α-SiC 弯曲强度的影响,并发现初始孔隙率超过 30% 的试样需在 1273 K 以下温度加工以维持结构完整性,而孔隙率低于 30% 的试样则对温度不敏感,从而为优化 CVI 工艺提供了理论依据。
该研究利用第一性原理方法揭示了单层 SnS2 中由 M 点鞍点能带拓扑诱导的激子特性,发现线性偏振光可打破其 C3 旋转对称性并产生三个独立的激子态,为谷电子学中的态编码提供了新途径。
本文研究了射频磁控溅射在硅衬底上制备的-GaO薄膜经550至1000°C退火处理后的特性,发现1000°C退火显著提升了薄膜的折射率并改善了其晶体结构。
该论文提出了一种基于近似和非微扰框架的从头算方法,通过结合平均场电子处理与描述非谐效应的核高斯分布,成功计算了包含非线性效应及核量子特性的电子 - 声子耦合,并在铝和钯氢化物体系中验证了其在弱耦合与强非线性体系中的有效性。
该研究利用多路超快光电子能谱技术,揭示了光激发诱导的电荷转移如何通过重塑界面势能,驱动二维材料界面上的分子在飞秒尺度内发生协同旋转并形成手性排列。
该研究利用机器学习方法发现,二维铋单层中的带电畴壁能量更低,且尾对尾畴壁因拓扑不变量变化及内建电场导致的能级分裂而展现出费米能级处的拓扑界面态,表明其是开发畴壁器件的潜在平台。
该论文提出了一种通过拟合单个模型来预测集成误差条的新方法,利用合成数据增强技术,仅需一次额外的模型评估即可在保持不确定度量化灵活性的同时,显著降低计算成本。
该研究利用微观区域角分辨光电子能谱技术,揭示了 PdCoO中电子 - 声子相互作用在体相与表面间的显著二分性:体相及 CoO终止面表现为弱耦合,而金属性的 Pd 终止面却展现出反常的强耦合极化子形成特征,表明模式与对称性选择性的耦合可显著调控单一材料中的电子 - 声子相互作用。
该论文建立了一种统一理论,在长度规范下的密度矩阵框架中,通过揭示偏置电场如何改变跃迁偶极矩和能量并引入电场诱导的贝里曲率与位移矢量,将光诱导的拓扑相变机制与场诱导的圆偏振光生伏特效应统一起来,从而为理解非线性光学响应和贝里曲率工程提供了清晰的几何图像。
本文建立了一种统一理论,在长度规范下通过密度矩阵计算,揭示了偏置电场如何通过改变跃迁偶极矩、跃迁能量和带内速度来诱导贝里曲率,从而将光致反常霍尔效应与电场诱导的圆光伏霍尔效应统一描述为几何性质的非线性光学过程。
该研究预测了铁电材料 BaTiS3 在应变诱导下会发生相变,从而显著增强自然旋光性或激活非线性反常霍尔效应,使其成为新型光电器件和输运器件的理想候选材料。
该研究首次报道了以具有反铁磁特性的纤锌矿 MnSe 为势垒的 CdSe 量子阱,通过光致发光实验和数值模拟证实了其中存在高达 14 MV/m 的内置电场,并揭示了该电场对发光能量、复合动力学及激发功率依赖性的显著影响。
该研究利用氮化硼纳米管作为坚固的纳米容器,成功制备了具有颜色可调、高偏振发射特性的铅卤钙钛矿量子线,其不仅通过柔性保护壳显著提升了材料的稳定性,还实现了直径可控,为构建纳米光子器件及大规模柔性组装提供了理想的基础单元。
本文通过构建一个自洽包含 Nambu-Goldstone 相位涨落与 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 涨落的微观相变框架,结合密度泛函理论输入,成功解释了单层 WTe中门控可调超导性在强无序区表现出的反常载流子密度依赖性及超导涨落突变消失等实验现象。
本文通过构建基于弹性理论和接触摩擦的解析模型,成功预测了自然弯曲梁滑入刚性孔时的三种滑动模式(折叠、钉扎和展开),并建立了基于几何参数的相图,为涉及摩擦、弹性和几何结构的接触型装配提供了统一的理论框架。
该研究提出并实验验证了利用电流在范德华反铁磁体 Co1/3TaS2 中实现拓扑自旋手性切换的新机制,该过程无需重金属或外磁场即可通过自生扭矩高效操控拓扑自旋手性,为手性自旋电子学及拓扑量子功能器件的发展提供了实用途径。
该研究通过瞬态反射光谱发现,GaP/Si(001) 异质界面处存在一种对高温外延生长具有鲁棒性的 2-THz 相干声子模式,其振幅虽受界面电子态耦合及原子重构的非单调调控,但模式本身在低温成核层和高温覆盖层中均稳定存在。
该研究通过在简单多晶钴基自旋阀中引入 1 纳米铜种子层,在亚 2 纳米自由层厚度下实现了 5-7% 的高巨磁阻比率,从而为自旋轨道转矩存储器和神经形态计算机提供了高信号读出解决方案。