Molecular Dynamics Study of Defect Evolution Mechanisms in 3C-SiC for Quantum Technologies
تستخدم هذه الدراسة محاكاة الديناميكا الجزيئية وحسابات النطاق المرن المدفوع لتوصيف حواجز الهجرة والانتشار للعيوب النقطية في كربيد السيليكون ذي البنية المكعبة (3C-SiC)، مما يكشف عن تسلسل هرمي للحركية يحكم التنافس بين عمليات إعادة الاتحاد والتجميع الضرورية لاستقرار مراكز العيوب النشطة دورانياً في التقنيات الكمومية.