First principles band structure of interacting phosphorus and boron/aluminum -doped layers in silicon
تكشف هذه الدراسة، باستخدام نظرية وظيفية الكثافة، أن طبقات الفوسفور والبورون/الألومنيوم المطعمة بـ والمتفاعلة في السيليكون تحاكي السيليكون الجوهري عند مسافات فصل تقل عن 1 نانومتر بسبب احتمالية الإلغاء، بينما تسلك سلوك وصلات p-n مستقلة عند مسافات أكبر مع احتمالات نفق معززة.