Depth-Resolved Thermal Conductivity of HFCVD Diamond Films via Square-Pulsed Thermometry
تستخدم هذه الدراسة قياس درجة الحرارة بمصدر نبضي مربع بالتزامن مع التحليل البنيوي المجهري للكشف عن أن الموصلية الحرارية لأغشية الماس المترسبة بطريقة الترسيب الكيميائي للبخار باستخدام الترسيب الكيميائي للبخاز (HFCVD) على ركائز كربيد السيليكون (SiC) تزداد بشكل ملحوظ من حوالي 60 إلى 200 واط م⁻¹ كلفن⁻¹ من واجهة النواة إلى السطح، وهو ما يرتبط ارتباطاً مباشراً بزيادة حجم الحبيبات، ويقدم رؤى بالغة الأهمية لتحسين الإدارة الحرارية في الإلكترونيات عالية القدرة.