Shallow Trap States Control Electrical Performance of Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
تستخدم هذه الدراسة مجهرية التوصيل الضوئي فائقة النطاق والمحاكاة لإثبات أن حالات المصائد الضحلة، وتحديداً عيوب فجوات الأكسجين من نوع Ga-Ga-In الواقعة على عمق ~0.32 إلكترون فولت تحت حزمة التوصيل، تتحكم بصرامة في الأداء الكهربائي لترانزستورات الغشاء الرقيق من أكسيد الإنديوم والغاليوم والزنك غير المتبلور، مما يتيح التنبؤ الدقيق بخصائص النقل من قياسات كثافة العيوب.