Quantum dot single photon source on SiN integrated with coupled crossover waveguides
تقدم هذه الورقة عرضاً تجريبياً لمصدر فوتون واحد بنقطة كمومية هجينة من نوع InAs/GaAs مدمج في دائرة فوتونية من نتريد السيليكون (SiN) باستخدام بنية موجية متقاطعة مقترنة للتغلب على عدم تطابق معامل الانكسار، محققةً بذلك نقلاً فعالاً للفوتونات، وانبعاثاً معززاً بتأثير بورسل، وإخراجاً للموجات على الشريحة.