Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures
تقدم هذه الورقة إطاراً نظرياً وتحققاً تجريبياً يثبت أن التوسع البيني على المستوى الذري في الفائق الشبكي من نوع (SiGe)m/(Si)m يستحث حالات طاقة موضعية تخلق مسارات امتصاص بصري جديدة بين 2 و2.5 إلكترون فولت، مما يتيح طريقة غير مدمرة لسبر البنية الذرية للسطح البيني.