← أحدث الأبحاث
🔬 physics

Structural, optoelectronic, and thermoelectronic properties of transition-metal-based dichalcogenides MoX2 (X = S, Se, Te) as 2D semiconductors for photoelectronic applications

تستخدم هذه الدراسة نظرية دالة الكثافة ونظرية بولتزمان للنقل لتوضيح أن طبقات MoX₂ (X = S, Se, Te) ثنائية الأبعاد المستقرة تُظهر فجوات نطاق أشباه موصلات قابلة للضبط، وامتصاصًا بصريًا قويًا في نطاق الضوء المرئي وفوق البنفسجي، ومعاملات حرارية كهربائية عالية، مما يجعلها مرشحات واعدة لتطبيقات الإلكترونيات الضوئية وتحويل الطاقة في المستقبل.

المؤلفون الأصليون: M. Musa Saad H.-E., B. O. Alsobhi, A. Almeshal

نُشر 2026-09-14
📖 1 دقيقة قراءة☕ قراءة في استراحة قهوة

المؤلفون الأصليون: M. Musa Saad H.-E., B. O. Alsobhi, A. Almeshal

البحث الأصلي مرخَّص بموجب CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). هذا شرح مولَّده بالذكاء الاصطناعي للبحث أدناه. لم يكتبه المؤلفون ولم يصادقوا عليه. وللتحقق من الدقة التقنية، يرجى الرجوع إلى البحث الأصلي. اقرأ إخلاء المسؤولية الكامل

لا يتوفر بعدُ أي شرح بهذه اللغة.

جرّب: AR, DE, EN, ES, FR, HI, IT, JA, KO, NL, PT, ZH

غارق في أبحاث مجالك؟

تصلك نشرة يومية بأحدث الأبحاث المطابقة لكلماتك البحثية المفتاحية — مع ملخصات تقنية، بلغتك.

جرّب Digest →