Efficiently gate-tunable ferromagnetism in ferromagnetic semiconductor-Dirac semimetal p-n heterojunctions
Die Studie demonstriert, dass in einer epitaktisch hergestellten p-n-Heterostruktur aus dem Dirac-Halbmetall Cd3As2 und dem ferromagnetischen Halbleiter In1−xMnxAs die ferromagnetische Curie-Temperatur durch eine moderate Gate-Spannung effizient gesteuert werden kann, was auf eine Wechselwirkung zwischen Topologie und Magnetismus hindeutet.
Emma Steinebronn, Saurav Islam, Abhinava Chatterjee, Bimal Neupane, Alex Grutter, Christopher Jensen, Julie A. Borchers, Timothy Charlton, Wilson J. Yanez-Parreno, Juan Chamorro, Tanya Berry, Supriya Ghosh, K. A. Nivedith, K. Andre Mkhoyan, Tyrel McQueen, Yuanxi Wang, Chaoxing Liu, Nitin SamarthMon, 09 Ma🔬 cond-mat.mes-hall