Electrical and Structural Response of Nine-Atom-Wide Armchair Graphene Nanoribbon Transistors to Gamma Irradiation
Die Studie zeigt, dass zwar die Gitterstruktur von neun Atom-breiten armchair-Graphen-Nanobändern nach Gamma-Bestrahlung weitgehend erhalten bleibt, ihre elektrischen Transistoreigenschaften jedoch durch Anderson-Lokalisierung und Quanteninterferenz signifikant degradieren, was ihr Potenzial als hochempfindliche Strahlungssensoren unterstreicht.