Valley-Aware Optimal Control of Spin Shuttling Using Cryogenic Integrated Electronics
Diese Arbeit stellt einen end-to-end Co-Simulationsrahmen und einen integrierten kryogenen Signalgenerator vor, die durch eine rauschbewusste Optimierung von geschwindigkeitsmodulierten Wellenformen die Elektronen-Shuttling-Fidelity in Si/SiGe-Systemen trotz valley disorder auf über 99,99 % steigern und dabei strenge Leistungs- und Flächenbeschränkungen kryogener Elektronik einhalten.