2227 पेपर
यह योगदान उच्च-गुणवत्ता वाले डिस्ट्रीब्यूटेड ब्रैग रिफ्लेक्टर्स वाले चिकने AlGaAs माइक्रोपिलर्स का उपयोग करके विस्परिंग-गैलरी मोड में लो-थ्रेशोल्ड, सरफेस-एमिटिंग माइक्रो-लेजर की प्राप्ति पर रिपोर्ट करता है, जो 930–970 nm रेंज में एक साथ कॉम्ब-लाइक लेजर एक्शन और 5 μm पिलर्स के लिए 240 μW के अनुमानित थ्रेशोल्ड पर 130 K पर सिंगल-मोड ऑपरेशन में संक्रमण प्राप्त करता है।
यह लेख एक संख्यात्मक मॉडल प्रस्तुत करता है जो यह प्रदर्शित करता है कि हाइब्रिड डाइइलेक्ट्रिक-सेमीकंडक्टर टॉप मिरर्स वाले क्वांटम-डॉट माइक्रोपिलर लेजर उच्च गुणवत्ता कारक (~65,000) प्राप्त करते हैं और 220 K तक लेजिंग बनाए रखते हैं, जिसमें 130 K पर कम से कम ~370 μW का थ्रेशोल्ड होता है।
यह लेख प्रदर्शित करता है कि अत्यधिक तनावपूर्ण (highly strained) InGaAs/InAlGaAs सुपरलैटिस सक्रिय क्षेत्रों का उपयोग कम आंतरिक हानि और उन्नत विशेषता तापमान प्राप्त करके 1300-nm लेजर के गेन, दक्षता और उच्च-तापमान प्रदर्शन में महत्वपूर्ण सुधार करता है, जो VCSEL अनुप्रयोगों के लिए बड़ी क्षमता का संकेत देता है।
यह लेख बड़े कोण वाले ट्विस्टेड बाइलेयर ग्रेफीन के निम्न-ऊर्जा लैंडौ स्तर स्पेक्ट्रम की जांच करता है, स्काईर्मियन-टेक्सचर्ड उत्तेजनाओं की पहचान करता है, और यह प्रदर्शित करता है कि विस्थापन क्षेत्र (डिस्प्लेसमेंट फील्ड) के तहत चार्ज असंतुलन क्वांटम हॉल फेरोमैग्नेटिक ग्राउंड स्टेट्स के बीच प्रथम-क्रम के चरण संक्रमण (फर्स्ट-ऑर्डर फेज ट्रांजिशन) को प्रेरित करता है, जैसा कि मल्टीडोमेन संरचनाओं के नाभिकीयकरण और स्पष्ट हिस्टेरेसिस से प्रमाणित होता है।
व्यापक हार्ट्री-फॉक गणनाओं के माध्यम से, यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि ट्विस्टेड बाइलेयर ग्राफीन में अनेक-निकाय प्रभाव (many-body effects) फर्मी वेग और अंतरपरत युग्मन को महत्वपूर्ण रूप से पुनर्सामान्य करते हैं, जिससे मैजिक एंगल से बदलकर हो जाता है और इस प्रतिमान को चुनौती देता है कि अधिकतम सुपरकंडक्टिविटी न्यूनतम बैंडविड्थ पर होती है।
यह शोधपत्र यह प्रस्तावित करता है कि एक छिपे हुए चर के रूप में ऋणात्मक स्थानीय आंशिक अवस्था घनत्व (LPDOS) का अस्तित्व शास्त्रीय और क्वांटम यांत्रिकी को एकीकृत करने, क्वांटम मापन समस्या को हल करने और समय यात्रा की व्यवहार्यता को सैद्धांतिक रूप से मान्य करने के लिए लैंडावर चालकता (Landauer conductance) की एक कठोर पुनर्व्याख्या को सक्षम बनाता है।
यह योगदान एक भौतिकी-निर्देशित बायेसियन सक्रिय शिक्षण ढांचे को प्रस्तुत करता है जो परमाणु परत निक्षेपण (एटॉमिक लेयर डिपोजिशन) में पल्स अवधि को स्वायत्त रूप से और कुशलतापूर्वक अनुकूलित करने के लिए लैंगमुइर अधिशोषण मॉडल को दो-चरणीय पैरामीटर अनुमान रणनीति के साथ एकीकृत करता है, जिससे पारंपरिक डेटा-संचालित दृष्टिकोणों की तुलना में तेज़ अभिसरण, उच्च भविष्यवाणी सटीकता और प्रीकर्सर की खपत में महत्वपूर्ण कमी प्राप्त होती है।
यह शोध पत्र इस बात की जांच करता है कि कैसे एक क्वांटम हॉल लिक्विड को 3+1 आयामी गतिशील विद्युत चुंबकत्व (electromagnetism) से युग्मित करना प्रणाली को गैपलेस (gapless) बना देता है, जिसके परिणामस्वरूप एक क्वांटाइज्ड हॉल प्रतिरोध और सूक्ष्म संरचना स्थिरांक (fine structure constant) के समानुपाती एक गैर-शून्य अनुदैर्ध्य प्रतिरोध प्राप्त होता है, जबकि हॉल चालकता और क्वैसीपार्टिकल गुणों में सुधार उत्पन्न होते हैं।
यह शोधपत्र प्रदर्शित करता है कि गैर-आबेलियन मल्टीगैप बैंड टोपोलॉजी, जो गैर-तुच्छ यूलर क्लास इनवेरिएंट्स (Euler class invariants) द्वारा अभिलक्षित है, ट्यूनेबल द्वि-आयामी कागोम मेटल-ऑर्गेनिक फ्रेमवर्क्स में प्रेक्षणीय मैग्नेटोनॉनलीन हॉल प्रभावों को प्रेरित करती है, जो नियंत्रणीय मैग्नेटोट्रांसपोर्ट मापन के माध्यम से इस अनछुए टोपोलॉजिकल चरण का प्रयोगात्मक रूप से पता लगाने का एक मार्ग प्रदान करता है।
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन प्रकट करता है कि अर्ध-2D C2N2O सामग्री एक तापीय रूप से स्थिर, निम्न-तापीय-चालकता वाला अर्धचालक है जिसमें एक ट्यूनेबल इनडायरेक्ट बैंड गैप और मजबूत एनिसोट्रोपिक ऑप्टिकल अवशोषण है, जो इसे नैनोस्केल ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और थर्मल नियंत्रण अनुप्रयोगों के लिए एक आशाजनक उम्मीदवार बनाता है।