Dominant scattering mechanisms in the low/high electric field transport in cryogenic 2D confinement in Silicon (110) with high- oxides
यह अध्ययन मल्टी-वैली मोंटे कार्लो सिमुलेशन का उपयोग करके यह प्रकट करता है कि हाई- ऑक्साइड वाले क्रायोजेनिक Si(110) उपकरणों में इलेक्ट्रॉन परिवहन कम क्षेत्रों (low fields) पर रिमोट कूलम्ब और सरफेस रफनेस स्कैटरिंग के बीच एक प्रतिस्पर्धा द्वारा नियंत्रित होता है, जबकि उच्च क्षेत्रों (high fields) पर रिमोट फोनन स्कैटरिंग और फोनन एमिशन गतिशीलता (mobility) और वेग (velocity) को महत्वपूर्ण रूप से सीमित करते हैं।