Anisotropic sub-band splitting mechanisms in strained HgTe: a first principles study
यह प्रथम-सिद्धांत (first-principles) अध्ययन प्रकट करता है कि रैखिक रूप से -निर्भर उच्च-क्रम स्ट्रेन पद तनावपूर्ण (tensile) शासन में कैमल-बैक (camel-back) विशेषता की व्याख्या करने और संकुचित (compressive) स्ट्रेन के तहत एक वेइल सेमीमेटल (Weyl semimetal) चरण के उद्भव का समर्थन करने के लिए तनावपूर्ण HgTe की इलेक्ट्रॉनिक संरचना को सटीक रूप से मॉडल करने हेतु अत्यंत महत्वपूर्ण हैं।