Tuning the memristive response of TaO-based devices with Ag Nanoparticles
यह अध्ययन प्रदर्शित करता है कि TaO-आधारित मेमरिस्टर्स के ऊपरी इलेक्ट्रोड में सिल्वर नैनोपार्टिकल्स को एम्बेड करना प्रभावी रूप से दो प्रतिस्पर्धी रेसिस्टिव स्विचिंग लूप्स में से एक को दबा देता है और फिलामेंट डायनेमिक्स को सीमित करने के लिए इंटरफेस को स्थानीय रूप से धातुकृत करके चक्र-से-चक्र परिवर्तनशीलता को कम करता है, जिससे ऑक्साइड आर्किटेक्चर को बदले बिना स्विचिंग स्थिरता को बढ़ाया जाता है।