Electrostatic Control Enables Robust Helical Edge Channel Transport in III-V Quantum Spin Hall Insulators
यह शोध पत्र प्रदर्शित करता है कि InAs/GaInSb/InAs ट्रिलायर क्वांटम वेल्स में डुअल-गेटेड इलेक्ट्रोस्टैटिक नियंत्रण प्रभावी रूप से परजीवी बल्क और एज कंडक्शन को दबा देता है, जिससे III-V क्वांटम स्पिन हॉल इंसुलेटर्स में एक विस्तृत इलेक्ट्रिक-फील्ड रेंज में सुदृढ़ और क्वांटाइज्ड हेलिकल एज चैनल ट्रांसपोर्ट सक्षम होता है।