Half-quantized anomalous Hall conductance in topological insulator/ferromagnet van der Waals heterostructures
यह अध्ययन तीन विशिष्ट फेरोमैग्नेट/टोपोलॉजिकल इंसुलेटर वैन डेर वाल्स हेट्रोस्ट्रक्चर में चुंबकत्व-प्रेरित अंतराल (magnetization-induced gap), साइडवॉल अवस्थाओं (sidewall states) और अर्ध-क्वांटाइज्ड अनोमल हॉल कंडक्टेंस (half-quantized anomalous Hall conductance) की जांच करने के लिए फर्स्ट-प्रिंसिपल्स गणनाओं और टाइट-बाइंडिंग मॉडल का उपयोग करता है, जबकि साथ ही उन कारकों का भी विश्लेषण करता है जो वास्तविक प्रणालियों में सटीक अर्ध-क्वांटाइजेशन को बाधित कर सकते हैं।